半導體陶瓷備件是指具有半導體特性、電導率約在10-6～105S/m的精密陶瓷制品。半導體陶瓷的電導率因外界條件（溫度、光照、電場、氣氛和溫度等）的變化而發生顯著的變化，因此可以將外界環境的物理量變化轉變為電信號，制成各種用途的敏感元件。
半導體陶瓷備件生產工藝的共同特點是必須經過半導化過程。
半導化過程可通過摻雜不等價離子取代部分主晶相離子(例如，BaTiO3中的Ba2+被La3+取代)，使晶格產生缺陷，形成施主或受主能級，以得到n型或p型的半導體陶瓷。
另一種方法是控制燒成氣氛、燒結溫度和冷卻過程。例如氧化氣氛可以造成氧過剩，還原氣氛可以造成氧不足，這樣可使化合物的組成偏離化學計量而達到半導化。
半導體陶瓷敏感材料的生產工藝簡單，成本低廉，體積小，用途廣泛。壓敏陶瓷，指伏安特性為非線性的陶瓷。如碳化硅、氧化鋅系陶瓷。它們的電阻率相對于電壓是可變的，在某一臨界電壓下電阻值很高，超過這一臨界電壓則電阻急劇降低。典型產品是氧化鋅壓敏陶瓷，主要用于浪涌吸收、高壓穩壓、電壓電流限制和過電壓保護等方面。
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