多層陶瓷基板技術源于20世紀50年代末期美國無線電（RCA）公司開發，現行的基本工藝技術（用流延法的生片制造技術、過孔形成技術和多層疊層技術）在當時就已被應用。多層陶瓷基板技術分為高溫共燒陶瓷技術（HTCC，HighTemperature co-fired Ceramic）和低溫共燒陶瓷技術（LTCC，Low Temperature co-fired Ceramic）。本文將介紹HTCC技術及應用。
20世紀80年代初，IBM公司商業化的主計算機的電路板（基板：33層和100倒裝芯片粘結大規模集成電路器件）采用多層陶瓷基板技術，因為這些多層基板是用氧化鋁絕緣材料和導體材料（Mo、W、Mo-Mn）在1600℃的高溫下共燒的，故而成為高溫共燒陶瓷（HTCC），以區別于后來開發的低溫共燒陶瓷。
高溫共燒陶瓷HTCC通常采用金屬材料為鎢、鉬、錳等高熔點金屬，按照電路設計要求，印刷于氧化鋁/氮化鋁/莫來石（相對較少）陶瓷生坯上，然后多層疊合，在1650～1850℃的高溫下共燒成一體。
HTCC與低溫共燒陶瓷技術（LTCC）制程相比較，二者陶瓷共燒溫度、材料以及金屬漿料選型有顯著差別，此外，在燒結制程中，LTCC通常在空氣氣氛下共燒，而HTCC采用氫氣氣氛，保護W、Mo金屬漿料不被氧化。
高溫共燒陶瓷產品主要有陶瓷多層基板、陶瓷封裝管殼、UVLED支架、VCSEL支架、各類加熱片、散熱電橋等，主要用于微波器件封裝、大規模集成電路封裝、混合集成電路封裝、光電器件封裝、SMD封裝、LED芯片封裝、半導體封裝等多個封裝領域。HTCC陶瓷基板燒結溫度高，可以與可伐合金等金屬材料進行一體化燒結，制成HTCC封裝外殼，大大節約了布線空間。
由于高溫共燒陶瓷HTCC具有結構強度高、熱導率高、化學穩定性好和布線密度高等優點，在熱穩定性要求更高、高溫揮發性氣體要求更小、密封性要求更高的發熱及封裝領域得到了廣泛的應用。
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