半導體工業已經超過傳統的鋼鐵工業、汽車工業，成為21世紀的高附加值、高科技產業。半導體是許多工業整機設備的核心，普遍應用于計算機、消費類電子、網絡通信、汽車電子等核心領域。半導體主要有四個組成部分：集成電路、光電子器材、分立器材和傳感器；集成電路是半導體工業的核心，占到了80%以上。集成電路包括邏輯芯片、存儲芯片、模擬芯片和mpu等。集成電路在性能、集成度、速度等方面的快速發展是以半導體物理、半導體器件、半導體制造工藝的發展為基礎的。
半導體業如此巨大的市場，半導體工藝設備為半導體大規模制造提供制造基礎。未來半導體器件的集成化、微型化程度必將更高，功能更強大。以下附送半導體生產過程中的主要設備。
1、單晶爐
設備功能：熔融半導體材料，拉單晶，為后續半導體器件制造，提供單晶體的半導體晶坯。
2、氣相外延爐
設備功能：為氣相外延生長提供特定的工藝環境，實現在單晶上，生長與單晶晶相具有對應關系的薄層晶體，為單晶沉底實現功能化做基礎準備。氣相外延即化學氣相沉積的一種特殊工藝，其生長薄層的晶體結構是單晶襯底的延續，而且與襯底的晶向保持對應的關系。
3、分子束外延系統
設備功能：分子束外延系統，提供在沉底表面按特定生長薄膜的工藝設備；分子束外延工藝，是一種制備單晶薄膜的技術，它是在適當的襯底與合適的條件下，沿襯底材料晶軸方向逐層生長薄膜。
4、氧化爐（VDF）
設備功能：為半導體材料進行氧化處理，提供要求的氧化氛圍，實現半導體預期設計的氧化處理過程，是半導體加工過程的不可缺少的一個環節。
5、低壓化學氣相淀積系統（LPCVD）
設備功能：把含有構成薄膜元素的氣態反應劑或液態反應劑的蒸氣及反應所需其它氣體引入LPCVD設備的反應室，在襯底表面發生化學反應生成薄膜。
6、等離子體增強化學氣相淀積系統（PECVD）
設備功能：在沉積室利用輝光放電，使其電離后在襯底上進行化學反應，沉積半導體薄膜材料。
7、磁控濺射臺（MSA）
設備功能：通過二極濺射中一個平行于靶表面的封閉磁場，和靶表面上形成的正交電磁場，把二次電子束縛在靶表面特定區域，實現高離子密度和高能量的電離，把靶原子或分子高速率濺射沉積在基片上形成薄膜。
8、化學機械拋光機（CMP）
設備功能：通過機械研磨和化學液體溶解“腐蝕”的綜合作用，對被研磨體（半導體）進行研磨拋光。
9、光刻機
設備功能：在半導體基材上（硅片）表面勻膠，將掩模版上的圖形轉移光刻膠上，把器件或電路結構臨時“復制”到硅片上。
10、反應離子刻蝕系統（RIE）
設備功能：平板電極間施加高頻電壓，產生數百微米厚的離子層，放入式樣，離子高速撞擊式樣，實現化學反應刻蝕和物理撞擊，實現半導體的加工成型。
11、ICP等離子體刻蝕系統
設備功能：一種或多種氣體原子或分子混合于反應腔室中，在外部能量作用下（如射頻、微波等）形成等離子體，一方面等離子體中的活性基團與待刻蝕表面材料發生化學反應，生成可揮發產物；另一方面等離子體中的離子在偏壓的作用下被引導和加速，實現對待刻蝕表面進行定向的腐蝕和加速腐蝕。
12、濕法刻蝕與清洗機
設備功能：濕法刻蝕是將刻蝕材料浸泡在腐蝕液內進行腐蝕的技術。清洗是為減少沾污,因沾污會影響器件性能,導致可靠性問題,降低成品率，這就要求在每層的下一步工藝前或下一層前須進行徹底的清洗。
13、離子注入機（IBI）
設備功能：對半導體表面附近區域進行摻雜。
14、探針測試臺
設備功能：通過探針與半導體器件的pad接觸，進行電學測試，檢測半導體的性能指標是否符合設計性能要求。
15、晶片減薄機
設備功能：通過拋磨，把晶片厚度減薄。
16、晶圓劃片機（DS）
設備功能：把晶圓，切割成小片的Die。
17、引線鍵合機（Wire Bonder）
設備功能：把半導體芯片上的Pad與管腳上的Pad，用導電金屬線（金絲）鏈接起來。
總結：中國半導體行業要實現從跟蹤走向引領的跨越，裝備產業將是重要環節，其中需要更多的創新，才能引領中國半導體設備的發展，并推動我國芯片工藝制程和技術跨越式提升。
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