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氧化鋁陶瓷原料成本低、性能優良，是現代工程技術中應用最為廣泛的陶瓷之一，從親民的日常廚具到高端的航天科技都能看見它的身影。隨著制作水平提高，近年來氧化鋁陶瓷在光學領域也受到青睞，當氧化鋁陶瓷完全致密化時，透光率大幅提升呈半透明狀，可用來取代單晶藍寶石，制作高壓鈉燈電弧管、紅外光學元件、微波集成電路基..
功率電子器件即功率半導體器件（powerelectronicdevice），通常是指用于控制大功率電路的電子器件（數十至數千安培的電流，數百伏以上的電壓）以及轉換電力設備間電能的器件。功率半導體器件的大規模集成化、大功率小型化、高效率低損耗、超高頻的發展而引發的電路發熱也迅速提高，電子封裝對基板材料..
一、什么是第三代半導體所謂第三代半導體材料是以SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)為代表(還包括ZnO氧化鋅、GaO氧化鎵、金剛石等)的化合物半導體。與第一代和第二代半導體材料相比，第三代半導體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率、更大的電子飽和速度以及更高的抗輻射能力，更適合制作高溫..
碳化硅作為一種重要的結構陶瓷材料，憑借其優異的高溫力學強度、高硬度、高彈性模量、高耐磨性、高導熱性、耐腐蝕性等性能，不僅應用于高溫窯具、燃燒噴嘴、熱交換器、密封環、滑動軸承等傳統工業領域，還可作為防彈裝甲材料、空間反射鏡、半導體晶圓制備中夾具材料及核燃料包殼材料。1、碳化硅在半導體領域的應用研磨盤、..
氮化鋁陶瓷硬度高、難加工。在氮化鋁陶瓷的各應用領域中，都對其表面加工質量和精度提出了較高要求，脆硬材料在加工過程中容易產生脆性斷裂引起加工表面產生破碎層、脆性裂紋、殘余應力、塑性變形區等一系列表面缺陷。陶瓷基板在LED器件中主要面對熱力學環境的工作條件，因而上述缺陷會極大地影響基板的性能，降低器件的..
摘要：針對半導體工藝與制造裝備的發展趨勢進行了綜述和展望。首先從支撐電子信息技術發展的角度，分析半導體工藝與制造裝備的總體發展趨勢，重點介紹集成電路工藝設備、分立器件工藝設備等細分領域的技術發展態勢和主要技術挑戰。在過去的20年中，個人計算機及手機的發展驅動半導體技術不斷進步，先后創造了互聯網時代和..
如果把芯片比作一幅平面雕刻作品，那么光刻機是打草稿的畫筆，刻蝕機則是雕刻刀，沉積的薄膜則是用來雕刻的材料。光刻的精度直接決定了元器件刻畫的尺寸，刻蝕和薄膜沉積的精度則決定了光刻的尺寸能否實際加工，而為了將芯片電路圖從掩模轉移到晶圓上，以實現預定的芯片功能，刻蝕工藝是其中重要的一環。在芯片制造中，光刻..
5月16日，京瓷在中期營運計劃說明會上宣布，今后3年間（2023年-2025年）的設備投資總額最高將達8500億日元（約合人民幣435億元），其中的4000億日元（約合人民幣205億元）將用于發展半導體業務，對半導體的投資規模將達此前3年間（2020年-2022年）的2.3倍水平。這項三年的資本支出..
氧化鋁陶瓷基片是目前制造和加工技術最成熟的陶瓷基片材料，它是在96%~99%氧化鋁陶瓷材料中添加了適量的礦物原料燒結而成的電子陶瓷基片，對膜電路元件及外貼切元件起支撐底座的作用。但在投以應用前，需要先對燒結獲得的氧化鋁陶瓷進行加工。因為這種剛燒結出來的氧化鋁陶瓷，由于燒結通常會帶來變形與收縮，其平面..
